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型号/品牌/封装

品类/描述

库存

价格(含税)

资料

型号: FQA16N25

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装:
TO-3-3

品类: MOS管

描述:
250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET

6301

20-49

￥0.0000

50-99

￥0.0000

100-299

￥0.0000

300-499

￥0.0000

500-999

￥0.0000

1000-4999

￥0.0000

5000-9999

￥0.0000

≥10000

￥0.0000

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型号: FGA20S125P

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装:
TO-3-3

品类: IGBT晶体管

描述:
Trans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 250000mW 3Pin(3+Tab) TO-3PN Rail

1356

10-99

￥8.7360

100-499

￥8.2992

500-999

￥8.0080

1000-1999

￥7.9934

2000-4999

￥7.9352

5000-7499

￥7.8624

7500-9999

￥7.8042

≥10000

￥7.7750

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型号: FQA35N40

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装:
TO-3-3

品类: MOS管

描述:
400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET

7691

1-9

￥36.7830

10-99

￥34.6725

100-249

￥33.1047

250-499

￥32.8635

500-999

￥32.6223

1000-2499

￥32.3510

2500-4999

￥32.1098

≥5000

￥31.9590

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型号: FQA160N08

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装:
TO-3-3

品类: MOS管

描述:
QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

9967

5-49

￥25.8102

50-199

￥24.7072

200-499

￥24.0895

500-999

￥23.9351

1000-2499

￥23.7807

2500-4999

￥23.6042

5000-7499

￥23.4939

≥7500

￥23.3836

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型号: IXEH25N120D1

品牌: IXYS Semiconductor

封装:
TO-3-3

品类: IGBT晶体管

描述:
IGBT 1200V 36A 200W TO247AD

1824

20-49

￥0.0000

50-99

￥0.0000

100-299

￥0.0000

300-499

￥0.0000

500-999

￥0.0000

1000-4999

￥0.0000

5000-9999

￥0.0000

≥10000

￥0.0000

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型号: IXGQ200N30PB

品牌: IXYS Semiconductor

封装:
TO-3-3

品类: IGBT晶体管

描述:
IGBT 300V 400A TO3P

8099

1-9

￥57.0228

10-99

￥53.7510

100-249

￥51.3205

250-499

￥50.9466

500-999

￥50.5727

1000-2499

￥50.1520

2500-4999

￥49.7781

≥5000

￥49.5444

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型号: IXGQ28N120BD1

品牌: IXYS Semiconductor

封装:
TO-3-3

品类: IGBT晶体管

描述:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P

7900

1-9

￥46.6284

10-99

￥43.9530

100-249

￥41.9656

250-499

￥41.6598

500-999

￥41.3540

1000-2499

￥41.0101

2500-4999

￥40.7043

≥5000

￥40.5132

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型号: IXGQ20N120BD1

品牌: IXYS Semiconductor

封装:
TO-3-3

品类: IGBT晶体管

描述:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 190000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P

8402

1-9

￥47.9338

10-99

￥45.1835

100-249

￥43.1404

250-499

￥42.8261

500-999

￥42.5118

1000-2499

￥42.1582

2500-4999

￥41.8439

≥5000

￥41.6474

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型号: MGD623N

品牌: Sanken Electric (三垦电气)

封装:
TO-3-3

品类: IGBT晶体管

描述:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3Pin(3+Tab) TO-3P

7946

5-49

￥27.1440

50-199

￥25.9840

200-499

￥25.3344

500-999

￥25.1720

1000-2499

￥25.0096

2500-4999

￥24.8240

5000-7499

￥24.7080

≥7500

￥24.5920

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型号: IRFS150A

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装:
TO-3-3

品类: MOS管

描述:
先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET

5228

5-24

￥1.7550

25-49

￥1.6250

50-99

￥1.5340

100-499

￥1.4950

500-2499

￥1.4690

2500-4999

￥1.4365

5000-9999

￥1.4235

≥10000

￥1.4040

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型号: NGTG20N60L2TF1G

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装:
TO-3-3

品类: IGBT晶体管

描述:
IGBT 分立，On Semiconductor ### IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

6486

5-49

￥17.6553

50-199

￥16.9008

200-499

￥16.4783

500-999

￥16.3727

1000-2499

￥16.2670

2500-4999

￥16.1463

5000-7499

￥16.0709

≥7500

￥15.9954

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型号: R6015KNZC8

品牌: ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

封装:
TO-3-3

品类: MOS管

描述:
MOSFET N-CH 600V 15A TO3P-3

8941

10-99

￥10.8720

100-499

￥10.3284

500-999

￥9.9660

1000-1999

￥9.9479

2000-4999

￥9.8754

5000-7499

￥9.7848

7500-9999

￥9.7123

≥10000

￥9.6761

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型号: NJW0302G

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装:
TO-3-3

品类: 双极性晶体管

描述:
ON SEMICONDUCTOR NJW0302G 单晶体管双极, 音频, PNP, 250 V, 30 MHz, 150 W, -15 A, 75 hFE

6599

10-99

￥10.4280

100-499

￥9.9066

500-999

￥9.5590

1000-1999

￥9.5416

2000-4999

￥9.4721

5000-7499

￥9.3852

7500-9999

￥9.3157

≥10000

￥9.2809

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型号: RJH60F4DPK-00#T0

品牌: Renesas Electronics (瑞萨电子)

封装:
TO-3-3

品类: IGBT晶体管

描述:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 235800mW 3Pin(3+Tab) TO-3P

2859

1-9

￥39.1986

10-99

￥36.9495

100-249

￥35.2787

250-499

￥35.0217

500-999

￥34.7647

1000-2499

￥34.4755

2500-4999

￥34.2185

≥5000

￥34.0578

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型号: RJK6018DPK-00#T0

品牌: Renesas Electronics (瑞萨电子)

封装:
TO-3-3

品类: MOS管

描述:
TO-3P N-CH 600V 30A

9336

1-9

￥60.0530

10-99

￥57.4420

100-249

￥56.9720

250-499

￥56.6065

500-999

￥56.0321

1000-2499

￥55.7710

2500-4999

￥55.4054

≥5000

￥55.0921

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型号: RJL5020DPK-00#T0

品牌: Renesas Electronics (瑞萨电子)

封装:
TO-3-3

品类: MOS管

描述:
Trans MOSFET N-CH 500V 38A 3Pin(3+Tab) TO-3P Tube

6296

1-9

￥72.0360

10-99

￥68.9040

100-249

￥68.3402

250-499

￥67.9018

500-999

￥67.2127

1000-2499

￥66.8995

2500-4999

￥66.4610

≥5000

￥66.0852

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型号: RJK2511DPK-00#T0

品牌: Renesas Electronics (瑞萨电子)

封装:
TO-3-3

品类: MOS管

描述:
Trans MOSFET N-CH 250V 65A 3Pin(3+Tab) TO-3P Tube

6946

1-9

￥60.1910

10-99

￥57.5740

100-249

￥57.1029

250-499

￥56.7366

500-999

￥56.1608

1000-2499

￥55.8991

2500-4999

￥55.5327

≥5000

￥55.2187

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型号: WPB4002-1E

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装:
TO-3-3

品类: MOS管

描述:
TO-3P N-CH 600V 23A

1974

5-49

￥24.3945

50-199

￥23.3520

200-499

￥22.7682

500-999

￥22.6223

1000-2499

￥22.4763

2500-4999

￥22.3095

5000-7499

￥22.2053

≥7500

￥22.1010

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型号: IXGQ35N120BD1

品牌: IXYS Semiconductor

封装:
TO-3-3

品类: IGBT晶体管

描述:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 400000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P

4446

1-9

￥75.0375

10-99

￥71.7750

100-249

￥71.1878

250-499

￥70.7310

500-999

￥70.0133

1000-2499

￥69.6870

2500-4999

￥69.2303

≥5000

￥68.8388

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型号: TIP35CP

品牌: ST Microelectronics (意法半导体)

封装:
TO-3-3

品类: 双极性晶体管

描述:
互补功率晶体管 Complementary power transistors

2035

10-99

￥8.6280

100-499

￥8.1966

500-999

￥7.9090

1000-1999

￥7.8946

2000-4999

￥7.8371

5000-7499

￥7.7652

7500-9999

￥7.7077

≥10000

￥7.6789

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型号: TK39J60W5,S1VQ

品牌: Toshiba (东芝)

封装:
TO-3-3

品类: MOS管

描述:
Mosfet n Ch 600V 38.8A To-3p(n)

7272

1-9

￥102.5340

10-99

￥98.0760

100-249

￥97.2736

250-499

￥96.6494

500-999

￥95.6687

1000-2499

￥95.2229

2500-4999

￥94.5988

≥5000

￥94.0638

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型号: STGWT60H60DLFB

品牌: ST Microelectronics (意法半导体)

封装:
TO-3-3

品类: IGBT晶体管

描述:
IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

4095

1-9

￥248.6990

10-49

￥242.2112

50-99

￥237.2372

100-199

￥235.5071

200-499

￥234.2096

500-999

￥232.4795

1000-1999

￥231.3982

≥2000

￥230.3169

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型号: STGWT60H65DFB

品牌: ST Microelectronics (意法半导体)

封装:
TO-3-3

品类: IGBT晶体管

描述:
IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

5149

5-49

￥21.7269

50-199

￥20.7984

200-499

￥20.2784

500-999

￥20.1485

1000-2499

￥20.0185

2500-4999

￥19.8699

5000-7499

￥19.7771

≥7500

￥19.6842

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型号: 2SK2953(F)

品牌: Toshiba (东芝)

封装:
TO-3-3

品类: MOS管

描述:
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3Pin(3+Tab) TO-3P(N)IS

3006

10-99

￥6.0480

100-499

￥5.7456

500-999

￥5.5440

1000-1999

￥5.5339

2000-4999

￥5.4936

5000-7499

￥5.4432

7500-9999

￥5.4029

≥10000

￥5.3827

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型号: 2SK2613(F)

品牌: Toshiba (东芝)

封装:
TO-3-3

品类: MOS管

描述:
TO-3PN N-CH 1000V 8A

7339

5-49

￥17.6670

50-199

￥16.9120

200-499

￥16.4892

500-999

￥16.3835

1000-2499

￥16.2778

2500-4999

￥16.1570

5000-7499

￥16.0815

≥7500

￥16.0060

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